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CN
產(chǎn)品技術
隧穿氧化/多晶硅沉積
祝融系列ZR5000×2管式PECVD ToxPoly All-in-one 系統(tǒng)
祝融系列ZR5000×2管式PECVD ToxPoly All-in-one 系統(tǒng)利用微導納米率先突破中試與GW級量產(chǎn)導入的PECVD 隧穿氧化層與原位摻雜多晶硅層鍍膜技術以及know-how,解決了PE-TOPCon技術路線管式PECVD設備鍍導電膜的設備瓶頸與低溫poly容易爆膜的工藝瓶頸,實現(xiàn)了在同一根工藝管內(nèi)連續(xù)完成超薄隧穿氧化層,非晶硅層,原位摻雜多晶硅層以及原位掩膜層的沉積,極大地簡化了生產(chǎn)工藝,專為接觸鈍化 (TOPCon、XBC和HJT+TOPCon)等高效電池技術量身定制,為TOPCon電池技術產(chǎn)業(yè)化提供了可靠的量產(chǎn)解決方案以及新路線,助力了電池技術從PERC到TOPCon的迭代。
銷售郵箱
產(chǎn)品特點
用于TOPCon, XBC, TOPCon+HJT等高效電池技術路線的應用
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All-in-one 鍍膜技術,可在同一工藝管內(nèi)連續(xù)完成超薄隧穿氧化層,非晶硅層,原位摻雜多晶硅層以及原位掩膜層的沉積,極大地簡化了生產(chǎn)工藝
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優(yōu)異的溫度控制和等離子控制系統(tǒng),搭配超高載片量的石墨舟設計,在確保設備產(chǎn)能的同時大幅提升電池轉換效率
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精準制備 SiOx/Poly-Si(n+),Poly-Si(i),Poly-Si(p+),SiNx, SiONx, SiC, SiOx 等疊層膜,優(yōu)異的薄膜厚度均勻性
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多晶硅原位摻雜濃度(1E20~1E21)可調(diào)
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針對新型PE-TOPCon電池技術核心的隧穿氧化層與多晶硅薄膜研發(fā)了可鍍導電膜、原位摻雜與無爆膜的管式PECVD ToxPoly同管集成技術,研究成果被廣泛轉載并成功完成產(chǎn)業(yè)化,受到了行業(yè)的認可,市場占有率快速攀升
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